Vzhledem ke globálnímu nedostatku energie a znečištění životního prostředí má LED displej široký aplikační prostor díky svým vlastnostem úspory energie a ochrany životního prostředí.V oblasti osvětlení, aplikaceLED světelné produktypřitahuje pozornost světa.Obecně lze říci, že stabilita a kvalita LED žárovek souvisí s odvodem tepla samotného těla žárovky.V současné době rozptyl tepla LED žárovek s vysokým jasem na trhu často využívá přirozeného rozptylu tepla a efekt není ideální.LED lampyvyrobené LED světelným zdrojem se skládají z LED, struktury rozptylu tepla, ovladače a čočky.Důležitou součástí je proto také odvod tepla.Pokud se LED nemůže dobře zahřívat, bude ovlivněna i její životnost.

Tepelné hospodářství je hlavním problémem při aplikaciLED s vysokou svítivostí

Protože dopování typu p nitridů skupiny III je omezeno rozpustností akceptorů Mg a vysokou startovací energií děr, v oblasti typu p se obzvláště snadno vytváří teplo a toto teplo se musí odvádět na chladiči. skrz celou strukturu;Způsoby rozptylu tepla LED zařízení jsou hlavně vedení tepla a konvekce tepla;Extrémně nízká tepelná vodivost materiálu safírového substrátu vede ke zvýšení tepelného odporu zařízení, což má za následek vážný samozahřívací efekt, který má zničující dopad na výkon a spolehlivost zařízení.

Vliv tepla na LED s vysokým jasem

Teplo se koncentruje v malém čipu a teplota čipu se zvyšuje, což má za následek nerovnoměrné rozložení tepelného namáhání a snížení světelné účinnosti čipu a účinnosti fosforového laseru;Když teplota překročí určitou hodnotu, rychlost selhání zařízení exponenciálně roste.Statistické údaje ukazují, že spolehlivost klesá o 10 % každé 2 ℃ zvýšení teploty součástí.Když je více LED hustě uspořádáno tak, aby vytvořilo systém bílého osvětlení, problém rozptylu tepla je vážnější.Řešení problému tepelného hospodářství se stalo nezbytným předpokladem pro aplikaci vysoce svítivých LED.

Vztah mezi velikostí čipu a odvodem tepla

Nejpřímějším způsobem, jak zlepšit jas obrazovky Power LED displeje, je zvýšit vstupní výkon, a aby se zabránilo nasycení aktivní vrstvy, musí být odpovídajícím způsobem zvýšena velikost pn přechodu;Zvýšení vstupního výkonu nevyhnutelně zvýší teplotu přechodu a sníží kvantovou účinnost.Zlepšení výkonu jednoho tranzistoru závisí na schopnosti zařízení odvádět teplo z pn přechodu.Za podmínek zachování stávajícího materiálu čipu, struktury, procesu balení, proudové hustoty na čipu a ekvivalentního odvodu tepla samotné zvýšení velikosti čipu zvýší teplotu přechodu.